Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET N-канальный STD10NM60ND от компании ST Microelectronics. Этот надежный и эффективный компонент предназначен для широкого спектра применений в электронных устройствах, где требуются высокая производительность и надежность.

STD10NM60ND отличается впечатляющими характеристиками, которые делают его идеальным выбором для различных схем силовой электроники, источников питания, преобразователей и многих других приложений. Давайте более подробно рассмотрим основные технические характеристики этого транзистора.

• Напряжение исток-сток макс.: 600В
• Ток стока макс.: 8A
• Сопротивление открытого канала: 600 мОм
• Мощность макс.: 70Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 5В
• Заряд затвора: 20нКл
• Входная емкость: 577пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: DPAK/TO-252AA
• Вес брутто: 0.52 г.

Благодаря своим выдающимся характеристикам, таким как высокое напряжение и ток, низкое сопротивление открытого канала и малая входная емкость, STD10NM60ND идеально подходит для использования в различных приложениях, включая импульсные источники питания, инверторы, регуляторы напряжения, а также в промышленной и бытовой электронике. Этот транзистор обеспечивает надежную и эффективную работу, делая его отличным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся к высокой производительности и надежности своих устройств.