FDT439N, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.3А 3Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 6.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 45 мОм |
| Мощность макс.: | 1.1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 15нКл |
| Входная емкость: | 500пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-223 |
| Вес брутто: | 0.85 г. |
| Наименование: | FDT439N |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
Описание
FDT439N, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.3А 3Вт - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.3A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.