PSMN2R0-60ES,127, Полевой транзистор N-канальный 60В 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK лента
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | NEXPERIA |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 120A |
| Сопротивление открытого канала: | 2.2 мОм |
| Мощность макс.: | 338Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 137нКл |
| Входная емкость: | 9997пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | I2PAK |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | PSMN2R0-60ES,127 |
| Производитель: | NEXPERIA |
| Описание Eng: | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail |
| Нормоупаковка: | 50 шт. |
Описание
Компонент PSMN2R0-60ES,127, Полевой транзистор N-канальный 60В 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK лента - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 2.2 мОм Мощность макс.: 338Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: NEXPERIA. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.