2V7002LT1G, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 115мА, 0.225Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 115мА |
| Сопротивление открытого канала: | 7.5 Ом |
| Мощность макс.: | 300мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Automotive, Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Входная емкость: | 50пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23 |
| Вес брутто: | 0.03 г. |
| Наименование: | 2V7002LT1G |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23-3 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
2V7002LT1G, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 115мА, 0.225Вт - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 115мА Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.