• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

CAT25M01VI-GT3, Энергонезависимое ППЗУ 1М-бит 10МГц

Нет изображения
Категория:EEPROM память
Производитель:ON Semiconductor
Наличие:В наличии
Тип памяти:EEPROM
Объем и организация памяти:1M (128K x 8)
Быстродействие:10MHz
Интерфейс:SPI Serial
Напряжение питания:1.8 V ~ 5.5 V
Корпус:SOIC8
Вес брутто:0.54 г.
Наименование:CAT25M01VI-GT3
Производитель:ON Semiconductor
Описание Eng:IC EEPROM 1MBIT 10MHZ
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:3000 шт

Описание

Представляем вашему вниманию энергонезависимое программируемое постоянное запоминающее устройство (ППЗУ) CAT25M01VI-GT3 от компании ON Semiconductor. Это высокопроизводительная EEPROM-память с объемом 1 Мбит, предназначенная для широкого спектра применений в электронных устройствах.

Данная микросхема отличается высокой скоростью передачи данных - до 10 МГц по последовательному интерфейсу SPI. Она работает в широком диапазоне напряжений питания от 1,8 В до 5,5 В, что обеспечивает гибкость при использовании в различных электронных системах. Корпус SOIC8 позволяет легко интегрировать CAT25M01VI-GT3 на печатные платы.

  • Тип памяти: EEPROM
  • Объем и организация памяти: 1M (128K x 8)
  • Быстродействие: 10MHz
  • Интерфейс: SPI Serial
  • Напряжение питания: 1.8 V ~ 5.5 V
  • Корпус: SOIC8
  • Вес брутто: 0.54 г
  • Описание Eng: IC EEPROM 1MBIT 10MHZ
  • Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка: 3000 шт

Микросхема CAT25M01VI-GT3 идеально подходит для применения в различных электронных устройствах, требующих энергонезависимой памяти большого объема, таких как промышленная автоматика, бытовая электроника, системы управления, IoT-устройства и многие другие. Благодаря высокой скорости передачи данных и широкому диапазону питающих напряжений, данная EEPROM-память обеспечивает надежное и эффективное хранение информации в самых разнообразных электронных системах.