Представляем вашему вниманию статическое ОЗУ (SRAM) от компании Integrated Silicon Solution, Inc. Модель IS61WV25616EDBLL-10TLI отличается высокой производительностью, надежностью и широким спектром применения в современной электронике.

Этот чип SRAM обладает объемом памяти 4 Мбит (256K x 16) и обеспечивает сверхбыстрое время доступа 10 нс, что позволяет использовать его в самых требовательных приложениях. Благодаря поддержке диапазона напряжений питания от 2,4 В до 3,6 В, данная микросхема может применяться как в устройствах с низким энергопотреблением, так и в высокопроизводительных системах.

• Тип памяти: SRAM - Asynchronous
• Объем и организация памяти: 4M (256K x 16)
• Быстродействие: 10ns
• Интерфейс: Parallel
• Напряжение питания: 2.4 V ~ 3.6 V
• Корпус: TSOP44-II
• Вес брутто: 2.24 г
• Упаковка: Palette (палетта)
• Нормоупаковка: 135 шт

Статическая память IS61WV25616EDBLL-10TLI находит широкое применение в различных электронных устройствах, где требуется высокая скорость доступа к данным, надежность хранения информации и совместимость с широким диапазоном напряжений питания. Это могут быть промышленные контроллеры, телекоммуникационное оборудование, бортовые системы, игровые приставки, медицинская техника и многие другие области электроники.