Представляем вашему вниманию высокопроизводительный компонент статической оперативной памяти - IS61WV51216EDBLL-10TLI от компании Integrated Silicon Solution, Inc. Этот 8-мегабитный чип SRAM обеспечивает впечатляющее быстродействие в 10 наносекунд, что делает его идеальным решением для широкого спектра применений, требующих высокой скорости обработки данных.

Благодаря своим передовым техническим характеристикам, данный компонент является надежным и эффективным выбором для различных электронных устройств и систем, где необходима быстрая и надежная память.

• Тип памяти: SRAM - Asynchronous
• Объем и организация памяти: 8M (512K x 16)
• Быстродействие: 10ns
• Интерфейс: Parallel
• Напряжение питания: 2.4 V ~ 3.6 V
• Корпус: 44-TSOP2 (10.2x18.4)
• Описание на английском: IC SRAM 8MB 10NS 44TSOP
• Тип упаковки: Tray (палетта)
• Нормоупаковка: 135 шт

Данный компонент SRAM идеально подходит для использования в широком спектре электронных устройств, требующих высокоскоростного доступа к памяти, таких как промышленные контроллеры, медицинское оборудование, системы обработки сигналов, сетевое оборудование и многое другое. Благодаря своим превосходным техническим характеристикам и надежности, IS61WV51216EDBLL-10TLI является отличным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся создавать высокопроизводительные и эффективные электронные системы.