K4B4G1646E-BMMA, Динамическая память - SDRAM
Нет изображения
| Категория: | Динамическая память - SDRAM |
|---|---|
| Производитель: | |
| Наличие: | В наличии |
| Наименование: | K4B4G1646E-BMMA |
| Производитель: | Samsung Semiconductor |
| Описание Eng: | Density 4 Gb Org. 256M x 16 Speed 1600 Mbps Voltage 1.35 V Temp. -40 ~ 95 °C Package 96FBGA |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 1 шт. |
| Корпус: | FBGA96 |
Описание
K4B4G1646E-BMMA, Динамическая память - SDRAM - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Наименование: K4B4G1646E-BMMA Производитель: Samsung Semiconductor Описание Eng: Density 4 Gb Org. 256M x 16 Speed 1600 Mbps Voltage 1.35 V Temp. -40 ~ 95 °C Package 96FBGA Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке) Нормоупаковка: 1 шт. Корпус: FBGA96
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.