MT53E512M64D2HJ-046 AAT:B, Динамическая память - SDRAM
Нет изображения
| Категория: | Динамическая память - SDRAM |
|---|---|
| Производитель: | |
| Наличие: | В наличии |
| Наименование: | MT53E512M64D2HJ-046 AAT:B |
| Производитель: | Micron |
| Описание Eng: | DRAM, 512M X 64BIT, -40 TO 105DEG C; DRAM Type:Mobile LPDDR4; Memory Configuration:512M x 64bit; Clock Frequency Max:2.133GHz; IC Case / Package:TFBGA; No. of Pins:556Pins; Supply Voltage Nom:1.1V; IC 81AJ0001 |
| Нормоупаковка: | 1 шт |
Описание
MT53E512M64D2HJ-046 AAT:B, Динамическая память - SDRAM - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Параметры доступны по запросу
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.