Представляем вашему вниманию энергонезависимую EEPROM-память CAT93C66VI-GT3 от компании ON Semiconductor. Данная микросхема обладает высокой производительностью и широким диапазоном напряжений питания, что делает её идеальным решением для широкого спектра электронных устройств.

Микросхема CAT93C66VI-GT3 имеет объем памяти 4 Кбит, организованной в виде 512 ячеек по 8 бит или 256 ячеек по 16 бит. Высокая скорость работы до 2 МГц позволяет использовать данную EEPROM-память в быстродействующих приложениях. Поддержка интерфейсов Microwire и 3-проводной последовательной связи обеспечивает гибкость при подключении к различным микроконтроллерам и другим цифровым устройствам.

• Тип памяти: EEPROM
• Объем и организация памяти: 4K (512 x 8 или 256 x 16)
• Быстродействие: 2 МГц
• Интерфейс: Microwire, 3-проводной последовательный
• Напряжение питания: 1,8 В ~ 5,5 В
• Корпус: SOIC8
• Вес: 0,54 г
• Тип упаковки: Лента в катушке (Tape and Reel)
• Нормоупаковка: 3000 шт

Микросхема CAT93C66VI-GT3 находит широкое применение в различных электронных устройствах, где требуется энергонезависимая память для хранения конфигурационных данных, параметров настройки, логов и другой информации. Она может использоваться в промышленной автоматике, бытовой электронике, системах управления и контроля, а также во многих других областях, где необходима компактная и надежная EEPROM-память.