FQT4N20LTF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.85А 1.35 Ом
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 850мА |
| Сопротивление открытого канала: | 1.35 Ом |
| Мощность макс.: | 2.2Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 5.2нКл |
| Входная емкость: | 310пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-223 |
| Вес брутто: | 0.21 г. |
| Наименование: | FQT4N20LTF |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
Описание
Компонент FQT4N20LTF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.85А 1.35 Ом - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 850мА Сопротивление открытого канала: 1.35 Ом Мощность макс.: 2.2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.