FDP3652, Транзистор полевой N-канальный 100В 61A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 9A |
| Сопротивление открытого канала: | 16 мОм |
| Мощность макс.: | 150Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 53нКл |
| Входная емкость: | 2880пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Наименование: | FDP3652 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 61A TO-220AB |
| Тип упаковки: | Bulk (россыпь) |
| Нормоупаковка: | 50 шт. |
Описание
FDP3652, Транзистор полевой N-канальный 100В 61A - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.