SI4896DY-T1-E3, Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 6.7 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 80В |
| Ток стока макс.: | 6.7A |
| Сопротивление открытого канала: | 16.5 мОм |
| Мощность макс.: | 1.56Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 41нКл |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Вес брутто: | 0.2 г. |
| Наименование: | SI4896DY-T1-E3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
SI4896DY-T1-E3, Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 6.7 А - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Vishay. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 16.5 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.