CSD18563Q5AT, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Texas Instruments |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 100A |
| Сопротивление открытого канала: | 6.8 мОм |
| Мощность макс.: | 3.2Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.4В |
| Заряд затвора: | 20нКл |
| Входная емкость: | 1500пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | CSD18563Q5AT |
| Производитель: | Texas Instruments |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 100A 8SON |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 250 шт. |
| Корпус: | 8-VSON (5x6) |
Описание
Компонент CSD18563Q5AT, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 6.8 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Texas Instruments. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.