FDS6570A, Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 15 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 15A |
| Сопротивление открытого канала: | 7.5 мОм |
| Мощность макс.: | 1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.5В |
| Заряд затвора: | 66нКл |
| Входная емкость: | 4700пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Наименование: | FDS6570A |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
FDS6570A, Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 15 А - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.