FDT458P, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.4А 0.13 Ом, 3Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 3.4A |
| Сопротивление открытого канала: | 130 мОм |
| Мощность макс.: | 1.1Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 3.5нКл |
| Входная емкость: | 205пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-223 |
| Вес брутто: | 0.85 г. |
| Наименование: | FDT458P |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
Описание
Компонент FDT458P, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.4А 0.13 Ом, 3Вт - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.4A Сопротивление открытого канала: 130 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.