FDD8870, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 160 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 21A |
| Сопротивление открытого канала: | 3.9 мОм |
| Мощность макс.: | 160Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Заряд затвора: | 118нКл |
| Входная емкость: | 5160пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Наименование: | FDD8870 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
Компонент FDD8870, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 160 А (ON Semiconductor), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Корпус: DPAK/TO-252AA
- Мощность макс.: 160Вт
- Наименование: FDD8870
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Нормоупаковка: 2500 шт.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
- Производитель: ON Semiconductor