FDD86102, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 8A |
| Сопротивление открытого канала: | 24 мОм |
| Мощность макс.: | 3.1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 19нКл |
| Входная емкость: | 1035пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.66 г. |
| Наименование: | FDD86102 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | Field-effect transistor, N-channel, 100V 8A |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 100 шт |
Описание
FDD86102, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8А — электронный компонент категории электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Наименование: FDD86102
- Напряжение исток-сток макс.: 100В
- Нормоупаковка: 100 шт
- Описание Eng: Field-effect transistor, N-channel, 100V 8A
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 24 мОм