IRLD120PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.3A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 1.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 270 мОм |
| Мощность макс.: | 1.3Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 12нКл |
| Входная емкость: | 490пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Вес брутто: | 0.7 г. |
| Наименование: | IRLD120PBF |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 100 шт |
| Корпус: | HVMDIP-4 |
Описание
Компонент IRLD120PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.3A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Vishay. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.