SI2308BDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.3А 1.66Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 2.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 156 мОм |
| Мощность макс.: | 1.66Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 6.8нКл |
| Входная емкость: | 190пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT23-3 |
| Вес брутто: | 0.03 г. |
| Наименование: | SI2308BDS-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
SI2308BDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.3А 1.66Вт - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Vishay. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 156 мОм Мощность макс.: 1.66Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.