SI2304BDS-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 30В 2.6A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 2.6A |
| Сопротивление открытого канала: | 70 мОм |
| Мощность макс.: | 750мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 4нКл |
| Входная емкость: | 225пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Наименование: | SI2304BDS-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Компонент SI2304BDS-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 30В 2.6A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Vishay. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.