CSD19534Q5AT, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 137A 8SON
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Texas Instruments |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 50A(Ta) |
| Сопротивление открытого канала: | 15.1 мОм @ 10А, 10В |
| Мощность макс.: | 3.2Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.4В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 22нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 1680пФ @ 50В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.37 г. |
| Наименование: | CSD19534Q5AT |
| Производитель: | Texas Instruments |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 137A 8SON |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 250 шт |
| Корпус: | 8-VSON-FET (5x6) |
Описание
CSD19534Q5AT, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 137A 8SON - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 50A(Ta) Сопротивление открытого канала: 15.1 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Texas Instruments. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.