IRFD210PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 600мА, 1.0Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 600мА |
| Сопротивление открытого канала: | 1.5 Ом |
| Мощность макс.: | 1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 8.2нКл |
| Входная емкость: | 140пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | DIP-4 |
| Вес брутто: | 0.56 г. |
| Наименование: | IRFD210PBF |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP, 1.0W |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 100 шт |
Описание
IRFD210PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 600мА, 1.0Вт - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Vishay. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 600мА Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.