BSS169IXTSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12Ом
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Сопротивление открытого канала: | 12Ом |
| Тип транзистора: | N-канальный |
| Корпус: | SOT23-3 |
| Вес брутто: | 0.06 г. |
| Наименование: | BSS169IXTSA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V RRDS(on)max.@ V GS=0V: 12.0 Ohm |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Компонент BSS169IXTSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12Ом - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Сопротивление открытого канала: 12Ом Тип транзистора: N-канальный Корпус: SOT23-3 Вес брутто: 0.06 г. Наименование: BSS169IXTSA1
Производитель: Infineon Technologies. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.