STY105NM50N, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 110A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 110A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 22 мОм @ 52А, 10В |
| Мощность макс.: | 625Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 326нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 9600пФ @ 100В |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Вес брутто: | 7.9 г. |
| Наименование: | STY105NM50N |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 600V 110A MAX247 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 30 шт |
| Корпус: | MAX247 |
Описание
Компонент STY105NM50N, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 110A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 110A(Tc) Сопротивление открытого канала: 22 мОм @ 52А, 10В Мощность макс.: 625Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard
Производитель: ST Microelectronics. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.