FCMT299N60, Транзистор MOSFET одиночный
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 12A(Ta) |
| Сопротивление открытого канала: | 299 мОм @ 6А, 10В |
| Мощность макс.: | 125Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.5В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 51нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 1948пФ @ 380В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | FCMT299N60 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 650V 12A POWER88 |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
| Корпус: | Power88 |
Описание
FCMT299N60, Транзистор MOSFET одиночный - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 12A(Ta) Сопротивление открытого канала: 299 мОм @ 6А, 10В Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.