SI2324DS-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 100В 2.3A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 2.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 234 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.8В |
| Заряд затвора: | 10.4нКл |
| Входная емкость: | 190пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Наименование: | SI2324DS-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
SI2324DS-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 100В 2.3A — электронный компонент категории электронные компоненты. Производитель: Vishay.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Наименование: SI2324DS-T1-GE3
- Напряжение исток-сток макс.: 100В
- Нормоупаковка: 3000 шт
- Описание Eng: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В
- Производитель: Vishay
- Сопротивление открытого канала: 234 мОм