IRFD123PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.3A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 1.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 270 мОм |
| Мощность макс.: | 1.3Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 16нКл |
| Входная емкость: | 360пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Вес брутто: | 0.6 г. |
| Наименование: | IRFD123PBF |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 100 шт |
Описание
IRFD123PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.3A - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: Vishay. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.