BSZ120P03NS3EGATMA1, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 40A 2.1Вт, 52Вт макс. SMD PG-TSDSON-8
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 40А |
| Мощность макс.: | 2.1Вт |
| Тип транзистора: | P-канальный |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.5 г. |
| Наименование: | BSZ120P03NS3EGATMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | P-Channel 30 V 40A 2.1W, 52W Surface Mount PG-TSDSON-8 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 5000 шт |
| Корпус: | TSDSON |
Описание
BSZ120P03NS3EGATMA1, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 40A 2.1Вт, 52Вт макс. SMD PG-TSDSON-8 - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 40А Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Surface Mount Вес брутто: 0.5 г.
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.