FDD86250, Транзистор полевой N-канальный 150В 8A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 150В |
| Ток стока макс.: | 8A |
| Сопротивление открытого канала: | 22 мОм |
| Мощность макс.: | 3.1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 33нКл |
| Входная емкость: | 2110пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Наименование: | FDD86250 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 150V 8A DPAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
Техническое описание: FDD86250, Транзистор полевой N-канальный 150В 8A. Категория: электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Наименование: FDD86250
- Напряжение исток-сток макс.: 150В
- Нормоупаковка: 2500 шт.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 150V 8A DPAK
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 22 мОм