FQPF2N80YDTU, Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 1.5 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 800В |
| Ток стока макс.: | 1.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 6.3 Ом |
| Мощность макс.: | 35Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 15нКл |
| Входная емкость: | 550пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220F |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | FQPF2N80YDTU |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 800V 1.5A TO-220F |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 1000 шт. |
Описание
Компонент FQPF2N80YDTU, Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 1.5 А (ON Semiconductor), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Нормоупаковка: 1000 шт.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO-220F
- Пороговое напряжение включения макс.: 5В
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 6.3 Ом
- Тип монтажа: Through Hole
- Тип транзистора: N-канал
- Тип упаковки: Tube (туба)