IPD50R1K4CEBTMA1, Транзистор полевой N-канальный 500В 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 500В |
| Ток стока макс.: | 3.1A |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.6 г. |
| Наименование: | IPD50R1K4CEBTMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 1 шт |
Описание
IPD50R1K4CEBTMA1, Транзистор полевой N-канальный 500В 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3.1A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount Корпус: DPAK/TO-252AA Вес брутто: 0.6 г.
Производитель: Infineon Technologies. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.