IRFBG30PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 3.1А 125Вт, 5 Ом
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 1000В |
| Ток стока макс.: | 3.1A |
| Сопротивление открытого канала: | 5 Ом |
| Мощность макс.: | 125Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 80нКл |
| Входная емкость: | 980пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Вес брутто: | 2.93 г. |
| Наименование: | IRFBG30PBF |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
IRFBG30PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 3.1А 125Вт, 5 Ом - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Vishay. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.