FDD8778, Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 35 А, 14 мОм
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 25В |
| Ток стока макс.: | 35A |
| Сопротивление открытого канала: | 14 мОм |
| Мощность макс.: | 39Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Заряд затвора: | 18нКл |
| Входная емкость: | 845пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.66 г. |
| Наименование: | FDD8778 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | Field-effect transistor, N-channel, 25 V, 35 A, 14 mOhm |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 100 шт. |
Описание
FDD8778, Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 35 А, 14 мОм - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.