SI7119DN-T1-E3, Транзистор полевой P-канальный 200В 3.8A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 3.8A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.05 Ом |
| Мощность макс.: | 52Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 25нКл |
| Входная емкость: | 666пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | PowerPAKВ® 1212-8 |
| Наименование: | SI7119DN-T1-E3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
Компонент SI7119DN-T1-E3, Транзистор полевой P-канальный 200В 3.8A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 1.05 Ом Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: Vishay. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.