FDC634P, Транзистор полевой P-канальный 20В 3.5A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 3.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 80 мОм |
| Мощность макс.: | 800мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.5В |
| Заряд затвора: | 10нКл |
| Входная емкость: | 779пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SSOT6 |
| Вес брутто: | 0.01 г. |
| Наименование: | FDC634P |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 20V 3.5A SSOT-6 |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Компонент FDC634P, Транзистор полевой P-канальный 20В 3.5A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.