BSC025N03LSGATMA1, Полевой транзистор N-канальный 30В 100A 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 25A |
| Сопротивление открытого канала: | 2.5 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | ±20В |
| Заряд затвора: | 74нКл |
| Входная емкость: | 6100пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | TDSON-8 FL |
| Наименование: | BSC025N03LSGATMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R |
| Нормоупаковка: | 5000 шт. |
Описание
Техническое описание: BSC025N03LSGATMA1, Полевой транзистор N-канальный 30В 100A 8-Pin TDSON EP лента на катушке. Категория: электронные компоненты. Производитель: Infineon Technologies.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Нормоупаковка: 5000 шт.
- Описание Eng: Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
- Пороговое напряжение включения макс.: ±20В
- Производитель: Infineon Technologies
- Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: N-канал