IPD80R1K4CEATMA1, Транзистор полевой N-канальный 800В 3.9A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 800В |
| Ток стока макс.: | 3.9A |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Наименование: | IPD80R1K4CEATMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
IPD80R1K4CEATMA1, Транзистор полевой N-канальный 800В 3.9A - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3.9A Тип транзистора: N-канал Корпус: DPAK/TO-252AA Наименование: IPD80R1K4CEATMA1 Производитель: Infineon Technologies
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.