FDI045N10A_F102, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 120 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 120A |
| Сопротивление открытого канала: | 4.5 мОм |
| Мощность макс.: | 263Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 74нКл |
| Входная емкость: | 5270пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | I2PAK |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | FDI045N10A_F102 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 1000 шт. |
Описание
FDI045N10A_F102, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 120 А - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 263Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.