FDFMA2P029Z, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3.1 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 3.1A |
| Сопротивление открытого канала: | 95 мОм |
| Мощность макс.: | 700мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Diode (Isolated) |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.5В |
| Заряд затвора: | 10нКл |
| Входная емкость: | 720пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | FDFMA2P029Z |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
| Корпус: | MicroFET6 |
Описание
FDFMA2P029Z, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3.1 А - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 95 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated)
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.