SI2356DS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 4.3A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 40V |
| Ток стока макс.: | 4.3A (Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 51 mOhm @ 3.2A, 10V |
| Мощность макс.: | 1.7W |
| Тип транзистора: | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.5V @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 13nC @ 10V |
| Входная емкость: | 370pF @ 20V |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT23-3 |
| Вес брутто: | 0.04 г. |
| Наименование: | SI2356DS-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
SI2356DS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 4.3A - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Vishay. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 40V Ток стока макс.: 4.3A (Tc) Сопротивление открытого канала: 51 mOhm @ 3.2A, 10V Мощность макс.: 1.7W Тип транзистора: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Особенности: Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.