BSC018NE2LSATMA1, Полевой транзистор N-канальный 25В 29A 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 25В |
| Ток стока макс.: | 29A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.8 мОм |
| Мощность макс.: | 69Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 39нКл |
| Входная емкость: | 2800пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | TDSON-8 FL |
| Наименование: | BSC018NE2LSATMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Trans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R |
| Нормоупаковка: | 5000 шт. |
Описание
Компонент BSC018NE2LSATMA1, Полевой транзистор N-канальный 25В 29A 8-Pin TDSON EP лента на катушке - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм Мощность макс.: 69Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Infineon Technologies. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.