FQH8N100C, Полевой транзистор, N-канальный, 1000 В, 8 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 1000В |
| Ток стока макс.: | 8A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.45 Ом |
| Мощность макс.: | 225Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 70нКл |
| Входная емкость: | 3220пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-247 |
| Вес брутто: | 8.5 г. |
| Наименование: | FQH8N100C |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 300 шт. |
Описание
FQH8N100C, Полевой транзистор, N-канальный, 1000 В, 8 А - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.45 Ом Мощность макс.: 225Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.