FQD3P50TM, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 500В 2.1A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 500В |
| Ток стока макс.: | 2.1A |
| Сопротивление открытого канала: | 4.9 Ом |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 23нКл |
| Входная емкость: | 660пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | TO-252-3 |
| Вес брутто: | 0.38 г. |
| Наименование: | FQD3P50TM |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
Описание
FQD3P50TM, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 500В 2.1A - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 4.9 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.