SI1012CR-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 20В 630мА
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 630мА |
| Сопротивление открытого канала: | 396 мОм |
| Мощность макс.: | 240мВт |
| Тип транзистора: | N-канальный |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 2нКл |
| Входная емкость: | 43пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SC-75A |
| Наименование: | SI1012CR-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 20V 630MA SC-75A |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
SI1012CR-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 20В 630мА - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 630мА Сопротивление открытого канала: 396 мОм Мощность макс.: 240мВт Тип транзистора: N-канальный Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Vishay. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.