BSC050N03LSG, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 80 А, 50 Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 80A |
| Мощность макс.: | 50 Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Вес брутто: | 0.2 г. |
| Наименование: | BSC050N03LSG |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Field effect transistor, N-channel, 30 V, 80 A, 50 W |
| Нормоупаковка: | 5000 шт. |
| Корпус: | TDSON-8/ SuperSO8 |
Описание
Компонент BSC050N03LSG, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 80 А, 50 Вт - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 80A Мощность макс.: 50 Вт Тип транзистора: N-канал Вес брутто: 0.2 г. Наименование: BSC050N03LSG
Производитель: Infineon Technologies. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.