SI2301BDS-T1-E3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.2А 0,9Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 2.2A |
| Сопротивление открытого канала: | 100 мОм |
| Мощность макс.: | 700мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 950mВ |
| Заряд затвора: | 10нКл |
| Входная емкость: | 375пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23 (TO-236AB) |
| Вес брутто: | 0.05 г. |
| Наименование: | SI2301BDS-T1-E3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
SI2301BDS-T1-E3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.2А 0,9Вт - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Vishay. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.