• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IPD65R600C6BTMA1, Полевой транзистор N-канальный 650В 7.3А TO252

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:650В
Ток стока макс.:7.3A
Сопротивление открытого канала:600 мОм
Мощность макс.:63Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:3.5В
Заряд затвора:23нКл
Входная емкость:440пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Наименование:IPD65R600C6BTMA1
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
Нормоупаковка:2500 шт.

Описание

Компонент IPD65R600C6BTMA1, Полевой транзистор N-канальный 650В 7.3А TO252 - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.

Ключевые характеристики:

  • Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 63Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В

Производитель: Infineon Technologies. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.

Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.