Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор N-канала MOSFET BUK9Y19-55B,115 от надёжного производителя NEXPERIA. Этот компонент отличается впечатляющими техническими характеристиками и широким спектром применения в современной электронике.

Транзистор BUK9Y19-55B,115 обладает максимальным напряжением сток-исток 55В, максимальным током стока 46А при температуре корпуса 25°C, а также низким сопротивлением открытого канала всего 17,3 мОм при токе 20А и напряжении 10В. Данные параметры делают этот MOSFET отличным выбором для использования в мощных электронных схемах и устройствах.

• Напряжение исток-сток макс.: 55В
• Ток стока макс.: 46A (Tc)
• Сопротивление открытого канала: 17.3 мОм @ 20А, 10В
• Мощность макс.: 85Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Особенности: Logic Level Gate
• Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 1mA
• Заряд затвора: 18нКл @ 5В
• Входная емкость: 1992пФ @ 25В
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: LFPAK56
• Вес брутто: 0.15 г.

Транзистор BUK9Y19-55B,115 идеально подходит для использования в различных силовых электронных схемах, таких как импульсные источники питания, преобразователи напряжения, инверторы, регуляторы напряжения и тока, а также в высокочастотных и коммутационных применениях. Благодаря своим характеристикам, этот MOSFET может быть эффективно использован в промышленном оборудовании, бытовой технике, автомобильной электронике и многих других областях.