FDV302P, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 25В 120мА, 0.35Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 25В |
| Ток стока макс.: | 120мА |
| Сопротивление открытого канала: | 10 Ом |
| Мощность макс.: | 350мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.5В |
| Заряд затвора: | 0.31нКл |
| Входная емкость: | 11пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23 |
| Вес брутто: | 0.03 г. |
| Наименование: | FDV302P |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
FDV302P, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 25В 120мА, 0.35Вт - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 120мА Сопротивление открытого канала: 10 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.